鉬鑭合金加工|鉬鑭合金加工?　　鉬鑭合金（MoLa）又稱高溫鉬，是通過摻雜稀土鑭元素從而提高鉬的高溫性能及其他性能的鉬合金。為提高作為高溫材料使用的純鉬的高溫性能和工作壽命， 鉬摻雜鑭等稀土后可使材料

鎢鉬合金報(bào)價(jià)　鎢鉬合金的熔點(diǎn)隨鎢含量的增加而提高，當(dāng)鎢含量增加到25%時(shí)，合金的熔點(diǎn)比純鉬大約提高200℃,因此，可以根據(jù)使用溫度和要求的合金熔點(diǎn)，在2620~3410℃的范圍內(nèi)選擇相應(yīng)的合金成分。這

優(yōu)質(zhì)銀鎢合金報(bào)價(jià)銀鎢合金是鎢、銀元素為主組成的一種兩相結(jié)構(gòu)假合金，是金屬基復(fù)合材料。由于金屬銀和鎢物性 差異較大，因此不能采用熔鑄法進(jìn)行生產(chǎn)，現(xiàn)在一般采用粉末合金技術(shù)進(jìn)行獲得。工藝流程為配料混合－－壓

壓鑄模|壓鑄模報(bào)價(jià)鎢基合金與鉬基合金壓鑄模專用材料基合金　　在壓鑄鋼鐵材料時(shí)，壓鑄模型腔的工作溫度可高達(dá)1000攝氏度。型腔表面受到嚴(yán)重氧化、腐蝕和沖刷，常因?yàn)楫a(chǎn)生嚴(yán)重的塑性變形和網(wǎng)狀裂紋而失效，只能

河南鎢鑭合金|鎢鑭合金哪家好準(zhǔn)直器在醫(yī)用CT 中有兩種：Ⅰ.X線管側(cè)準(zhǔn)直器，又叫前準(zhǔn)直器，安裝在CT 球管前方, 是X 射線經(jīng)過的第 一個(gè)部件, 從球管中射出來(lái)的X 射線是錐形的, 通過帶有狹縫的鎢器

優(yōu)質(zhì)鉬鋯鈦合金報(bào)價(jià)　　隨著電子技術(shù)發(fā)展，元器件發(fā)熱日益成為其功能與使用壽命的瓶頸。隨著電子元件的功能效率不斷提升以及其體積不斷縮小電子系統(tǒng)的熱管理受到了嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。散熱不足會(huì)對(duì)半導(dǎo)體的效率以及可靠性造

鉬鈮合金靶材|鉬鈮合金靶材洛陽(yáng)愛科麥鎢鉬科技股份有限公司生產(chǎn)的鉬鈮靶材包含鉬鈮平面靶和鉬鈮旋轉(zhuǎn)靶。愛科麥制造靶材的特點(diǎn)　　1.產(chǎn)品密度高，產(chǎn)品致密性好，晶粒均勻?！　?.機(jī)械加工性能較好?！　?.靶材

河南鉬鋯鈦合金|河南鉬鋯鈦合金?　　通常被簡(jiǎn)稱為TZM，是以鈦和鋯等為合金元素的鉬基合金。目前應(yīng)用特多的有TZM（Mo-0.5%Ti-0.008%Zr）和TZC（Mo-1.25%Ti-0.15%Zr-

河南優(yōu)質(zhì)鉬箔報(bào)價(jià)鉬板是由經(jīng)過壓制燒結(jié)后的鉬板坯經(jīng)過軋制工藝制成。通常2-30毫米厚度被稱為鉬板，0.2-2毫米厚度被稱為鉬片,0.2毫米以下厚度被稱為鉬箔。不同厚度的鉬板材需通過不同型號(hào)的軋機(jī)制造，較

軋制鉬板加工|軋制鉬板加工鉬板是由經(jīng)過壓制燒結(jié)后的鉬板坯經(jīng)過軋制工藝制成。通常2-30毫米厚度被稱為鉬板，0.2-2毫米厚度被稱為鉬片,0.2毫米以下厚度被稱為鉬箔。不同厚度的鉬板材需通過不同型號(hào)的軋

河南軋制鉬板價(jià)格鉬板是由經(jīng)過壓制燒結(jié)后的鉬板坯經(jīng)過軋制工藝制成。通常2-30毫米厚度被稱為鉬板，0.2-2毫米厚度被稱為鉬片,0.2毫米以下厚度被稱為鉬箔。不同厚度的鉬板材需通過不同型號(hào)的軋機(jī)制造，較

磨光鉬板價(jià)格鉬板是由經(jīng)過壓制燒結(jié)后的鉬板坯經(jīng)過軋制工藝制成。通常2-30毫米厚度被稱為鉬板，0.2-2毫米厚度被稱為鉬片,0.2毫米以下厚度被稱為鉬箔。不同厚度的鉬板材需通過不同型號(hào)的軋機(jī)制造，較薄的

磁控濺射靶材公司濺射是一種先進(jìn)的薄膜材料制備技術(shù), 它利用離子源產(chǎn)生的離子, 在真空中加速聚集成高速離子流, 轟擊固體表面, 離子和固體表面的原子發(fā)生動(dòng)能交換, 使固體表面的原子離開靶材并沉積在基材表

河南濺射靶材公司濺射是一種先進(jìn)的薄膜材料制備技術(shù), 它利用離子源產(chǎn)生的離子, 在真空中加速聚集成高速離子流, 轟擊固體表面, 離子和固體表面的原子發(fā)生動(dòng)能交換, 使固體表面的原子離開靶材并沉積在基材表

鍍膜靶材報(bào)價(jià)濺射是一種先進(jìn)的薄膜材料制備技術(shù), 它利用離子源產(chǎn)生的離子, 在真空中加速聚集成高速離子流, 轟擊固體表面, 離子和固體表面的原子發(fā)生動(dòng)能交換, 使固體表面的原子離開靶材并沉積在基材表面,