9926A 是雙N溝的場效應管，參數為20V/4.5A/1W，封裝形式是SOP8，總柵極電荷是11n，典型應用于記本電腦的電源管理、便攜式設備、直流/直流轉換器、負荷開關、DSC、液晶顯示轉化器。
3401L是P溝道增強型MOS場效應管芯片。它的特點：有高級的加工技術，極低的導通電阻高密度的單元設計。封裝形式：SOT23-3。
SI2302是三極管的一種，屬于增強模式場效應晶體管。晶體管類型 ：N溝道MOSFET ，最 大功耗PD ： 1.25W ，柵極門限電壓VGS ： 2.5V（典型值），漏源電壓VDS ：20V（極限值
APM4953是雙P溝道MOSFET。內部包括兩個獨立的、P溝道金屬氧化物場效應管。它有超低的導通電阻RDS（ON），適合用LED顯示屏，LED顯示器驅動，也可用來做負載開關或PWM開關。APM495
SI2302是二三極管的一種，屬于增強模式場效應晶體管主要參數：晶體管類型：：Ｎ溝MOSFET,最 大功耗PD：1.25W，柵極門限電壓VGS:2.5V（典型值），漏源電壓VDS：20V（極限值）漏極
AMSMB10F貼片整流橋堆主要參數：0.46芯片尺寸，封裝形式：MBF，耐壓值1000V,功率是：20W,應用于小電流領域產品：小功率開關電源，充電器，電源適配器，LED燈整流器等相關電器產品。本產
LM358系列包含兩個獨立的、高增益的內部頻率補償的雙運算放大器，適用于電壓范圍很寬的單電源，而且也適用于雙電源工作模式，在推薦的工作條件下，電源電流與電源電壓無關。它的特點在線性模式里，即使只有一個
LM339是四電壓比較器集成電路。它的特點：工作電源電壓范圍寬，單電源、雙電源均可工作，單電源： 2～36V，雙電源：±1～±18V；消耗電流小， Icc=1.3mA；輸入失調電壓小， VIO=±2m
JRC4558 器件是一款專門為雙運算放大器設計的單片集成電路。高共模輸入電壓范圍和無閉鎖功能使這款放大器成為電壓輸出跟隨器應用最 理 想的選擇。該器件的短路保護功能和內部頻率補償使其無需外部原件便可
817系列是SMD光學耦合隔離器，其中含有砷化鎵發(fā)光二極管和NPN硅光電晶體管.。它的特點:電流傳輸比(CTR:50 ~ 600% at IF = 5mA,VCE = 5V)，輸入間的高隔離電壓，輸出
NE555 是一塊通用時基電路，它是一種將模擬信號與邏輯功能相結合的模擬集成電路。能夠產生精準的時間延時和振蕩。這種定時電路可應用于電子控制，電子檢測和電子警報等許多方面。例如，由它可構成精準的的計時
SI2300是N溝道的MOS管。封裝形式：SOT23，它的特征：電壓20V，電流5.4A，最 大功耗PD ： 1.25W，漏源電壓VDS ：20V（極限值）漏極電流ID：TA=25°時：5.4A，TA
78L系列是一種固定電壓三端集成穩(wěn)壓器,其適用于很多應用場合.象牽涉到單點穩(wěn)壓場合需要限制噪聲和解決分布問題的在-卡調節(jié).此外它們還可以和其它功率轉移器件一起構成大電流的穩(wěn)壓電源,如可驅動輸出電流高達
AMS6206是一種用于電池供電設備的250mA超低靜態(tài)電流CMOS低退學(LDO)調節(jié)器。固定的輸出電壓為1.5v、1.8V、2.5v、2.8V、3.0V、3.3V和3.6V。其他的特性還包括50μ
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